Dersom man har en NPN-transistor (f.eks. 2n2222) stående mellom last og jord (common emitter), har det noe å si om spenningen over collector-emitter er lavere enn over gate-emitter?

Tenkte å bruke en 2n5401 (PNP) for å beskytte mot feil polaritet, ut ifra datablad så tåler den en e-b-spenning på 5V, men derimot en c-e og c-b spenning på 150V, betyr det at jeg fortsatt ikke kan bruke denne som beskyttelse for spenninger over 5V?

Har forresten en 3.3V regulator og resten av kretsen mellom c og jord.

Tenkte å bruke en 2n5401 (PNP) for å beskytte mot feil polaritet, ut ifra datablad så tåler den en e-b-spenning på 5V, men derimot en c-e og c-b spenning på 150V, betyr det at jeg fortsatt ikke kan bruke denne som beskyttelse for spenninger over 5V?

Har forresten en 3.3V regulator og resten av kretsen mellom c og jord.

Kvifor ikkje enten settje inn ei likerettarbru, slik at polaritet vert likegyldig, eller ein enkelt diode for å hindre skader ved feil polaritet?

Eventuelt - om spenningsfallet over ein diode er uakseptabelt, kan du settje inn ein diode i paralell med spenningsinngangen, og ei sikring i serie med inngangen. Om polariteten er feil vil dioden lede, og sikringen ryke.

Det er nok veldig lite, ja. Men du sitter igjen med et spenningsfall som er minst like stort som en diode uten noe som helst ekstra funksjonalitet og med litt større kostnad og et ekstra ben å lodde. Jeg kan ikke se noen som helst grunn til å heller bruke en BJT enn en diode. En MOSFET derimot, vil gi så godt som null spenningsfall, og om du dropper spenningsregulatoren vil du også sløse betraktelig mindre effekt.

EDIT: Jeg leste feil i innlegget ditt. Spenningsfallet fra b til c er lite. Fra e til c er det litt større enn e til b.

EDIT2: Beklager, jeg driver med altfor mye på en gang, og du har rett. I full metning vil også V_C være høyere enn V_B, og spenningsfallet fra emitter til kollektor blir noe mindre enn en vanlig diodespenning. Men spenningsfallet vil bli enda mindre med en MOSFET.