Joda, men som jeg sa kan man kompensere med en logaritmisk pot. Grafen vil da se slik ut:

https://www.google.no/webhp?sourceid...w=1745&bih=890

x-aksen representerer vridningen av potmeteret. x=4 vil gi en verdi på 10kOhm. Denne grafen er mer akseptabel

jeg lurte på en ting om h-broer og dioder, på de fleste så trenger man en free-wheeling diode, sånn som her: http://www.electronicsteacher.com/ro...es/hbridge.gif

men så har jeg sett at på kretstegningen til n-channel mosfet'er så er det tilsynelatende en "innebygd" diode, som her: http://dmohankumar.files.wordpress.c...08/mosfet1.jpg
betyr det at jeg ikke trenger disse ekstra diodene når jeg bygger h-broen?

og hvis jeg trenger de, hvor stor strøm må de kunne takle? jeg har noen som takler 1A, mens mosfet'ene takler 49A.

Det finnes egne mosfeter som er egnet på 5 eller 3.3v logiske nivåer, så får du skrudd mosfeten helt på når du bruker den som bryter! http://www.technobotsonline.com/semi...gic-level.html

Du får ikke skrudd de noe mer "på" enn de andre mosfetene som er nevnt her. STB36NF06L som er en av de du linket til har en Rds(on) på 32mOhm ved Vgs på 10V, andre som er nevnt her har en Rds(on) på 17.5mOhm og 8mOhm.

Hva mener du? Hvis du vil utnytte hele mosfetens område så må du øke Vgs til Rds(on) er så lav som mulig. Da kan det lønne seg å ha en mosfet med lav Vgs

Vi er ute etter så lav Rds som mulig ja, så hvis vi skal styre mosfeten med 5V så er det lurt å velge en mosfet med en lav Rds(on). Det jeg sier er at disse mosftene du linket til ikke nødvendigvis har lavere motstand ved Vgs=5V enn andre mosfeter. Rds ved Vds=5V ikke er gitt i databladet (annet enn å lese det ut fra grafene, men det kan bli veldig unøyaktig), men vi kan prøve å tilnærme oss denne verdien ved å se på Vth og Rds(on). Rds=1/(K*(Vov)). Denne K variabelen kan vi se bort ifra, men vi ser utifra denne formelen at hvis Vov halveres så vil Rds dobles. Vov=Vgs-Vth så hvis terskelspenningen er 2V og Rds(on) ved Vgs=10V er 17.5mOhm vil Rds ved Vgs=5V være 46mOhm. Hvis vi ser på STB36NF06L som har en Rds(on) på 32mOhm ved Vgs=10V vil vi her få en Rds på 85mOhm ved Vgs=5V. Det er mulig at STB36NF06L har en lavere terskelspenning, men selv om vi sier at den har en terskelspenning på 1V så vil vi ikke få mindre Rds enn 72mOhm ved en Vgs=5V.

Ja, det kan jo så klart hende at en annen mosfet har lavere Rds(on) ved 5v enn en "logic level" mosfet. Poenget mitt er at folk kjøper transistorer etter det som står helt øverst i databladet eller produktbeskrivelsen, f.eks. 100V 20A, men da må dem også være obs på at dem ikke får fullt utslag om dem ikke har høy nok Vgs.

[quote=Plecto;2778390]Trenger ikke være værre enn dette:

http://i50.tinypic.com/2uzp6de.png

Litt usikker på hvorfor du har brukt to bipolare transistorer samt en spenningsdeler?



Jeg klarer ikke å åpne bildet som du har lagt under teksten "Trenger ikke være værre enn dette:"

Den "spenningsdeleren" er en DC/DC omformer som gir stabil 5Volt til IC-kretsen (Amtel 328P). Releet trenger 12VDC, så da syntes jeg det var greit å bruke en felles 12V batterikilde for både IC og relè.

Kan du legge ut bildet på nytt?

Litt merkelig at du ikke ser bildet. Når du nå kopierte teksten jeg skrev så kopierte du faktisk også bildet.

http://i50.tinypic.com/2uzp6de.png

Så ikke denne posten før nå. Zener dioden inni en mosfet er ikke der fordi den har en spesiell praktisk applikasjon, den er kun et biprodukt av hvordan de blir laget og betegnes ofte som en zener diode i et kretsdiagram. En flyback diode er der for å beskytte transistoren mot en veldig høy spenning når strømmen i en induktiv last blir raskt endret (som når en motor skrues av og på), men jeg jeg tror jeg ville hatt dedikerte dioder uansett. Forskjellige mosfeter tåler forskjellige spenninger over forskjellige tidsrom så dette beror på hvor raskt mosfeten skrues av og på, størrelsen på lasten, størrelsen på mosfeten etc. så jeg kan ikke svare på hva mosfet vil eller ikke vil tåle av disse voltage spikes fra en induktiv last.

takker, men det jeg lurte på var hvor mye strøm selve flyback diodene må kunne tåle, hvis jeg feks har en 12V DC motor i broen? hvis motoren feks trekker 5A under full last, er det noen tommelregel for hvor mye som strøm som må ledes vekk ved en viss switchingfrekvens?

Jeg kan ikke svare nøyaktig på dette, jeg tror du må finne noen 60W motor kontrollere for å se hva som er brukt der. Du må nok ha en diode som hvert fall tåler 5A og jeg tror en schottky diode er på sin plass også. Disse har et lavere spenningsfall og kan skrus av og på fortere enn en vanlig diode. Det er jo også et spørsmål hvor mye spenning den må tåle da spenningen over en spole etter at strømmen har blitt brutalt skrudd av kan bli veldig høy. Det kan kanskje være en ide å bruke en gate motstand når man styrer slike laster, dette vil få mosfeten til å skru seg av og på litt tregere.

Tusen takk Plecto, skissen din viser egentlig akkutat det jeg er ute etter, nemlig en løsning med så få komponenter som overhode mulig. Fikk åpnet skissen fra en annen PC og endte med å bestille noen IRFD110 N-Channel MOSFET. Skulle kople opp en demo i dag, men oppdaget nå at du har oversett en liten ting. Ett av kravene i oppgaven/spørsmålet var at "Eneste begrensning er at den ene av relets spoletilkopling må ligge ned mot felles jord" . Kan jeg be deg pent om å lage et nytt utkast?

PS: Har liggende både BD139 og BD140 dersom dem kan brukes i dette oppsettet.

Da bruker du BD140 og setter spolen til releet på "nedsiden" av transistoren. Da vil transistoren skrus på med lav basestrøm i stedet for høy, så det må du ordne i mikrokontrolleren eller hva nå den cutom-chipen er

[quote=Plecto;2784551]Litt merkelig at du ikke ser bildet. Når du nå kopierte teksten jeg skrev så kopierte du faktisk også bildet.

http://i50.tinypic.com/2uzp6de.png

Nå ser jeg skissen din. Den er eksakt hva jeg er ute etter. Så få komponenter som mulig. Har skaffet meg en N-Channel MOSFET og skulle teste denne løsningen i går. Men så oppdaget jeg at det er MOSFET'en som er koplet ned mot jord og ikke releet. Ett av kravene er at den ene siden av relespole må være koplet i mot GND.

Kan dette løses like enkelt, dog på en annen måte?

PS: Jeg testet også skissen som jeg selv hadde laget. Den fungerte perfekt. Måtte dog bytte fra 1K til 2,2K på den ene resistoren (den gikk varm). Men ulempen med min løsning er at den bruker veldig mange komponenter (og trekker sikkert unødvendig mye strøm fra batteriet).

Se på vedlegget her, er ikke det løsningen? Glemte å endre navnet på transistoren da

Wanna-b: Du kan ikke koble en n-ch mosfet slik. Husk at det er Vgs som bestemmer Ids, men har du en last mellom jord og source vil Vgs bli Vg-VL hvor da VL er spenningen over lasten.

BjornTore: Bruk BD140 Velg riktig baseresistor, koble emitter til +12V og base til Attiny85. Releet kobles mellom jord og collector.

BjornTore: Bruk BD140 Velg riktig baseresistor, koble emitter til +12V og base til Attiny85. Releet kobles mellom jord og collector.[/quote]


Jeg forsøkte det. Satte ATtiny85 til å pulsere (HØY/LAV hvert sekund). Prøvde med 22Ohm, 220 Ohm, 1K og 10K, men BD140 åpnet ikke (eller ble stående åpen hele tiden (husker ikke). Forsøkte også å lage en spenningsdeler mellom 12V og GND for mating av Basis på BD140. Koplet så den pulserende utgangen inn på basis i lag med denne spenningsdeleren, men heller ikke det fikk BD140 til å vippe.

22Ohm baseresistor høres voldsomt ut, da har du en strøm som er like 5/22=227mA som vil bli en effekt lik 159mW noe som er 12.7 ganger høyere enn hva den tåler. Tror nok du har tatt livet av den Bruk formelen for kalkulering av baseresistor som jeg skrev i åpningsposten. En baseresistor på 10kOhm bør være mer enn nok hvis du bare skal drive et lite rele.

Dersom utgangen fra IC-kretsen er +5V i HØY og 0V i LAV, og denne spenningen skal styre BD140 hvor emitter henger på nivået +12V (og Basis på 11,3V).

Releet som skal styres trekker 350mA og BD140 har Hfe=20. Da trenger jeg vel 17mA for å åpne den tilstrekkelig. Altså 11,3V/0,017A=R=680 Ohm, men når IC-kretsen går HØY, så vil spenninen over motstanden fortsatt være 6,3V noe som gir Ib=9mA. Altså ikke tilstrekkelig lav til å få BD140 til å stenge helt.

Har dårlig erfaring med å bruke transistorer som bryter når den blir stående halvåpen, for da pleier dem å bli veldig varme.

Dette med MOSFET er nytt for meg. Hva med å bruke en P-Channel MOSFET?

Ja det er san't at det fortsatt vil gå en strøm selv om utgangen til mikrokontrolleren er 5V, dette tenkte jeg ikke på :S Du blir nødt til å bruke to transistorer, enten mosfeter eller bipolare transistorer. Koble dem slik:

http://i47.tinypic.com/o0v6rk.png

Hvis du bruker bipolare transistorer må du passe på å sette inn motstander der det trengs, men som du ser vil mosfeter gjøre det simplere.

Hvorfor må releet kobles til jord? Det kompliserer jo bare designet.

"Hvorfor må releet kobles til jord? Det kompliserer jo bare designet. ". Enig med deg i det, men jeg skal bruke en felles tilkoplingskabel til kretskortet og denne kabelen forgrener seg ut i tre passende tilkoplingsplugger og hver av pluggene har bare GND +signal. Lang histori :-) Men tusen takk for hjelpen! Jeg bestiller meg noen P-channel MOSFET og tester den nye koplingen. Har tro på at den vil gjøre susen :-)

Pass på å bestill noen N-channel også. Gjerne kjøp noen av de som er nevnt tidligere, disse TO-220 pakkene.

Men jeg har jo tegnet den om til en PNP transistor, kretsen du beskriver er akkurat slik som i tegningen min...

Du har koblet releet mellom jord og source, det skal kobles mellom jord og drain.

Nå datt jeg litt av. Har dere funnet en metode for hvordan jeg kan kutte ut noen komponenter?

(Har liggende effekttransistorene BD139 (NPN) og BD140 (PNP), samt noen N-channel MOSFET IRFD110. Har også bestilt noen BS250 P-Channel MosFET (og BT169D Thyristor) som sikkert ramler inn døren om ikke så lenge). Har en løsning som fungerer, men den bruker to transistorer, tre motstander (og en sperrediode).

Trenger jeg forresten å bruke sperrediode for å beskytte MOSFET'ene?

Den siste jeg linket er det simpleste designet. Den bruker to mosfets og en motstand, vil du bruker bipolare transistorer må du ha to basemotstander i tillegg. Ja du bør ha en flyback diode for å beskytte transistorene når du styrer en induktiv last (som et rele eller en motor).

OK, ja det er den jeg tenker å teste ut straks jeg mottar BS250 P-Channel MosFET'ene.
( http://i47.tinypic.com/o0v6rk.png ).

Dårlig formulert spørsmål kanskje, men er det en måte å måle hvor "åpen" en transistor er ved en gitt basestrøm uten å bruke amperemeter? Kan jeg f.eks måle motstanden over E og C?

Noen motstand kan du ikke måle nei. En bipolar transistor fungerer som en 'current sink' (vet ikke helt hva det heter på norsk). Det vil si at den kan kun tillate en gitt mengde strøm igjennom seg. Hvis strømmen er mindre enn denne verdien vil den 'åpne' seg helt, men hvis strømmen prøver å bevege seg over denne verdien vil transistoren regulere 'motstanden' slik at strømmen holder seg konstant. Du ser her at man ikke kan snakke om tradisjonelle motstander i en ohmsk forstand.

Du kan måle Vce og Ice og så finne ut en Hfe verdi, men denne Hfe verdien er allerede oppgitt i databladet (se første post).

Men det du kan gjøre, er å koble en lav-ohm motstand i serie med lasten din og måle spenningen over den. Vha. ohms lov kan du finne strømmen. Bare pass på at motstanden tåler effekten.

Jeg har endelig fått en moderator til å endre åpningsposten. Nå har jeg skrevet litt om hvordan man velger riktig transistor, litt om hvordan man leser datablader etc.

Du kan måle spenningen over CE og ut fra denne beregne "hvor åpen" den er. Dess lavere spenning, dess mer åpen er den. Forutsetter da at det henger en last i mellom C og + (dersom det er en NPN du måler på).

Min erfaring er at transistoren lettest blir varm når den er sånn halvveis åpen.

Er det ikke uansett et spenningsfall på ca 0.7V over C-E på en npn-transistor?

Nei. Det er et konstant spenningsfall på 0.7V mellom base og emitter, Vce vil variere med Ice. Hvis du måler Vce så må du huske at den verdien kun gjelder for akkurat den lasten siden spenningen kan variere voldsomt med strømmen :P Når spenningen over transistoren er den samme som spenningen over lasten vil varmeutviklingen være høyest ja.

Nå er ikke jeg noen ekspert på området da. Men i utgangspunktet (før transistoren åpner), så vil du ha hele driftspenningen liggende over CE (typisk 9-12 Volt). Når transistoren har åpnet helt så er vel denne spenningen sånn ca. 0,5 - 0,7 Volt (jeg har bare analogt måleinstrument, så derfor er jeg litt vag på å oppgi noen eksakt spenning). Men dersom transistoren kan gjerne være delvis åpnet og da kan du godt måle noe i mellom 0,5 og 12V.

Jeg blandet sammen der. Husker jeg målte dette engang og det stemte veldig eksakt med 0.7V på en 2n2222.

Et lite spørsmål til det praktiske eksemplet i førsteinnlegget; du nevner at du skal styre 100 led med en 12V spenningskilde, og ledsymbolet i serie med en 100ohm motstand. Menes det da at 100 leds står i serie med hverandre og en 100ohm, eller er led'ene i parallell med en 100ohm i serie med hver enkelt? Blir det ikke uansett for mye strøm pr led?

Jeg sa 100 leds bare for å få en last, det kunne like gjerne vært èn led som tålte 2A. Meningen var å få en last som krevde 2A og jeg brukte små leds som eksempel siden dette er noe en del kjenner litt til. Hadde det virkelig vært 100 leds og 12V strømforsyning måtte de vært koblet i både serie og parallel, men ideelt sett skulle alle seriekoblingene hatt hver sin formotstand. Mulig det eksempelet ble litt villedende :P

Jeg henger meg opp i detaljer, prinsippet med bestemmelsen av motstanden var bra det.

Kunne du ikke skrevet litt om Vth på mosfet'er? I databladet på IRF3205 tror jeg det var, så står det min 2V og max 4V, betyr det at man minimum trenger 2V for å i det hele tatt få 'åpning', og at over 4V gir full 'åpning', og i mellom 2 og 4V gir gradvis større 'åpning'?

Jeg tror jeg skrev nok om hva Vth betyr. Uansett hvilken verdi du leser så vil absolutt ingenting skje før Vth er oppnådd. Mange av disse verdiene kan variere voldsomt med ytre påvirkninger og også mellom mosfeter (selv om det er samme modell). Når det står 2-4V så betyr det at Vth aldri er mer enn 4V, men heller ikke mindre enn 2V. Som oftes oppgis det en "typ" verdi, men for å få en nøyaktig verdi bør du måle på akkurat den mosfeten du har. Jeg vil anta at den som oftes ligger på rundt 3V for den modellen, men skal ikke være for sikker.

Isåfall vil en arduino klare å skru den fullstendig på?

Som sagt så kan du aldri få en mosfet til å være "fullstendig" på da jo høyere Vgs du har, jo mer "på" vil den bli. Ta en titt på denne grafen for IRF3205:

http://i47.tinypic.com/24ca5aq.png

Her ser du at jo høyere Vgs du har, jo lavere Vds kan du ha for samme strøm. Hvis du skulle sagt at mosfeten var "fullstendig på" så måtte du bare ha valgt et tilfeldig punkt på den grafen, men du ser at det kan fort bli veldig feil. For å se om en arduino duger til det du skal styre så må du se på strømmen du vil styre og om den varmeutviklingen du evt. får er akseptabel. Hvis den ikke er det så må du enten velge en annen mosfet eller så må du finne en løsning så Vgs kan være høyere. En transistor er ikke som et rele som enten er 100% på eller 100% av.

Hei, er ikke sikker på om dette er rett tråd, men jeg har veldig lyst til å lære elektrisk logikk. Driver å fikler litt med denne:
http://logic.ly/demo/

Men har lyst til å lære hvordan jeg kan sette opp noe sånt på ekte!
Noen som vet om det er det sted det går an å feks kjøpe 30 av hver logikk type?
Driver litt smått med vanlige kretser på fritiden og skolen, men er ikke sikker på hvor jeg skal begynne under booleansk logikk!

Noen tips?

Det hadde vært riktig tråd om du var ute etter å lage portene fra transistorer :P Jeg vet at taydaelectronics.com har en del porter og flip-flopper, her har du f.eks. fire nand porter i en og samme chip:

http://www.taydaelectronics.com/74ls...d-gate-ic.html

jeg kom på en ting når jeg gjelder spenningsspesifikasjoner på mosfeter (og bjt), når det står feks 55V, som på IRFZ44N, hva betyr egentlig det? betyr det at den kan tåle et spenningsfall på 55V? altså 55V fra source til drain? http://www.taydaelectronics.com/irfz...l-49a-55v.html

og tåler en IRFZ44N å bli brukt i denne konfigurasjonen? her er det jo nesten ikke noe spenningsfall over selve mosfeter: http://i.imgur.com/PIAKps5.png

Det er maks spenning over drain og source ja. Så lenge ikke mosfeten står på 100% av tiden (noe som ville vært rart) så vil den få et spenningsfall. I den kretsen du linket til så vil mosfeten få 200V over seg når pwm er LAV.

Rds gjelder bare hvis Vds er veldig lav, så straks du får et spenningsfall kan du ikke bruke denne verdien lenger. Ta en titt på grafen som er linket over, der hvor grafen er lineær og beveger seg skrått mot høyre vil mosfeten oppføre seg som en motstand, altså kan du putte en Rds verdi på den. Så straks Vds blir for høy vil grafen rette seg ut og den vil heller begynne å oppføre seg som en 'current sink' (strømmen vil variere veldig lite med Vds med andre ord). Er Vgs=0V vil det i teorien ikke gå noen strøm igjennom mosfeten i det hele tatt Altså vil R=uendelig og Vds=Vs

ah ok, så da funker IKKE kretsen på det bildet jeg lastet opp?

Bare hvis du har en mosfet som tåler >200V