Dersom utgangen fra IC-kretsen er +5V i HØY og 0V i LAV, og denne spenningen skal styre BD140 hvor emitter henger på nivået +12V (og Basis på 11,3V).

Releet som skal styres trekker 350mA og BD140 har Hfe=20. Da trenger jeg vel 17mA for å åpne den tilstrekkelig. Altså 11,3V/0,017A=R=680 Ohm, men når IC-kretsen går HØY, så vil spenninen over motstanden fortsatt være 6,3V noe som gir Ib=9mA. Altså ikke tilstrekkelig lav til å få BD140 til å stenge helt.

Har dårlig erfaring med å bruke transistorer som bryter når den blir stående halvåpen, for da pleier dem å bli veldig varme.

Dette med MOSFET er nytt for meg. Hva med å bruke en P-Channel MOSFET?